Ce processus ne nécessite que des produits chimiques liquides ; il est donc très simple et peu coûteux à mettre en œuvre. Par exemple, pour graver un film de cuivre, comme on le fait couramment dans la fabrication des cartes de circuits imprimés, une réserve est appliquée et modelée sur le film de cuivre, puis un produit chimique tel que le persulfate d'ammonium ou le chlorure ferrique est utilisé pour graver sélectivement le cuivre, en ne laissant que les zones de cuivre sous le film protecteur. La réserve est ensuite décapée à l'aide d'un solvant.

La gravure au plasma est également connue sous le nom de gravure au nickel-hydrure, car elle est réalisée en phase vapeur sans utilisation de liquides. Elle est parfois appelée gravure ionique réactive (RIE), bien que la terminologie correcte soit gravure chimique en phase vapeur assistée par ions. Dans un système de gravure au plasma, le substrat est placé dans une chambre à vide au-dessus de la cathode d'un générateur de plasma et un gaz est introduit pour créer une réaction. L'un des avantages de ce système est qu'il est possible d'introduire dans la chambre des gaz relativement sûrs qui se décomposent en substances très réactives à l'état de plasma. Le CF4 en est un exemple. Ce gaz est tout à fait inerte dans des conditions normales, mais dans le plasma, il peut produire de nombreux atomes F (radicaux libres) qui sont très réactifs et attaquent spontanément le silicium pour produire du SiF4. En outre, les ions du plasma bombardent la cathode comme s'il s'agissait d'une pulvérisation. Cette action crée une source d'énergie supplémentaire qui peut accélérer la vitesse de gravure parallèlement à la trajectoire des ions. Comme les ions sont incidents perpendiculairement à la cathode, cela a pour effet d'accélérer la vitesse de gravure perpendiculairement au substrat. Cela produit un profil de gravure avec un minimum de contre-dépouille et une forte anisotropie.