이 공정에는 액체 화학 물질만 필요하므로 매우 간단하고 저렴하게 구현할 수 있습니다. 예를 들어, 인쇄 회로 기판 제조에서 흔히 사용되는 구리 필름을 에칭하기 위해 구리 필름에 레지스트를 도포하고 패턴을 만든 다음 과황산 암모늄이나 염화철과 같은 화학 물질을 사용하여 보호막 아래 구리 영역만 남기고 구리를 선택적으로 에칭합니다. 그런 다음 솔벤트로 레지스트를 벗겨냅니다.

플라즈마 에칭은 액체를 사용하지 않고 증기 상에서 수행되기 때문에 건식 에칭이라고도 합니다. 반응성 이온 에칭(RIE)이라고도 하지만 정확한 용어는 이온 보조 화학 증기상 에칭이라고 해야 합니다. 플라즈마 에칭 시스템에서 기판은 플라즈마 발생기의 음극에 있는 진공 챔버에 배치되고 반응을 생성하기 위해 가스가 도입됩니다. 이 시스템의 장점은 플라즈마 상태에서 반응성이 높은 물질로 분해되는 상당히 안전한 가스를 챔버에 공급할 수 있다는 것입니다. 예를 들어 CF4는 정상적인 조건에서는 매우 불활성이지만 플라즈마에서는 반응성이 높은 많은 F 원자(자유 라디칼)를 생성하고 자발적으로 실리콘을 공격하여 SiF4를 생성할 수 있습니다. SiF4는 기체이기 때문에 이 플라즈마 반응에서 실리콘은 쉽게 기체로 바뀝니다. 또한 플라즈마의 이온은 마치 스퍼터링하는 것처럼 음극을 공격합니다. 이 작용은 이온 궤적과 평행하게 에칭 속도를 가속화할 수 있는 추가 에너지 원을 생성합니다. 이온이 음극에 수직으로 입사되기 때문에 기판에 수직으로 에칭 속도를 가속하는 효과가 있습니다. 따라서 언더컷이 최소화되고 이방성이 강한 에칭 프로파일이 생성됩니다.