1.3 Литография

Фотолитография, также известная как фотолитография, зародилась в производстве интегральных схем для микроэлектроники. Фотолитография является производство полупроводниковых структур или устройств и интегральных схем микрографической структуры ключевых технологий, принцип заключается в следующем: в кремнии и других материалов подложки с покрытием фоторезиста, а затем использование очень высокого предельного разрешения пучка энергии через маску на фоторезист для воздействия, после разработки, в фоторезисте с маской графики на том же очень тонкий геометрический рисунок, а затем использование таких методов, как травление, в материале заготовки для создания миниатюрных Структура. Процесс фотолитографии обычно включает в себя производство оригинальных чертежей, фотолитографию, предварительную обработку подложки, покрытие слоя фоторезиста, предварительное запекание, экспонирование, отображениеТени, прочная пленка, коррозия и отслаивание и т.д.

1.4 Технология травления

Травление обычно подразделяется на изотропное и анизотропное. Изотропное травление позволяет создавать микроструктуры с произвольной поперечной геометрией, как правило, высотой в несколько микрометров, и ограничено изготовлением плоских структур. Анизотропное травление позволяет создавать трехмерные структуры с большим аспектным отношением и глубиной до нескольких сотен микрометров.

(1) Химическое анизотропное травление

Химическое травление имеет уникальные характеристики бокового недотравливания, может сделать скорость травления материала зависящей от характеристик кристаллической ориентации, чтобы дать полную игру. Монокристаллический кремний имеет кристаллографические грани с различными кристаллографическими направлениями, и существует значительная разница в скорости травления между кристаллографическими гранями в щелочном растворе. Введение очень эффективного слоя, останавливающего травление, путем контролируемого легирования кремния позволяет предотвратить травление и добиться селективного травления для создания микроструктур.

(2) Травление ионным лучом

Ионно-лучевое травление подразделяется на травление сфокусированным ионным пучком и травление реактивным ионным пучком. Травление сфокусированным ионным пучком при плотности ионов порядка А/см2 позволяет получить пучок субмикронного диаметра, который может быть непосредственно вытравлен на поверхности заготовки, и может точно контролировать плотность и энергию пучка. Именно благодаря падающим ионам на атомы поверхности материала заготовки передается импульс и достигается цель травления атомов поверхности заготовки по одному, и таким образом может быть достигнута наноразмерная точность изготовления. Травление реактивным ионным пучком - это физико-химический реакционный метод травления. Это будет пучок ионов реактивного газа непосредственно на поверхность заготовки, реакция происходит после образования летучих и легко полагаться на кинетическую энергию ионов и обработки продукта, и в то же время через реактивный газ ионный пучок распыления эффект для достижения цели травления. Это технология субмикронной микрообработки.

(3) Лазерное травление

Для лазерного травления обычно используются YAG-лазер и эксимерный лазер. Эксимерный лазер стал наиболее перспективным источником лазерного излучения благодаря короткой длине волны, малому диаметру фокусировки, высокой спектральной плотности мощности и холодному источнику света. В настоящее время обычно используются аргон-фтористый эксимерный лазер и ксенон-фтористый эксимерный лазер.

Аргон фторид эксимерного лазера производится дальнего ультрафиолетового лазерного луча травления пластмасс и других полимерных твердых материалов, не только может быть вытравлен чрезвычайно тонкие линии, и не производит тепла, материал в фокусе луча вокруг роли явления не диффузии тепла и ожогов. Материал травления не является прямым эффектом интенсивности излучения лазерного луча, но материал лазерного излучения, разрушение химической связи между атомами полимера, при довольно низкой температуре газификации в результате производства малых молекул.

И эти крошечные подразделенияЭксимерный лазер излучает дальний ультрафиолетовый свет с длиной волны 193 нм, частотой повторения 1 Гц или выше и шириной импульса 12 нс. Эксимерный лазер излучает дальний ультрафиолетовый свет с длиной волны 193 нм, частотой повторения 1 Гц или выше и длительностью импульса 12 нс. Один импульс может протравить канавки размером в несколько микрометров. С помощью таких лазерных импульсов материал можно отслаивать слой за слоем, чтобы вытравить тонкие линии.

Ксенон фторид эксимерный лазер производит около-ультрафиолетовой длины волны 300 нм, процесс травления является: помещается в хлор газа в пластины лазерным излучением, молекулы хлора разлагаются на атомы хлора, и в то же время, пластины лазерным излучением электронов, прикрепленных к атомам хлора, образование отрицательно заряженных ионов хлора, и с положительно заряженными атомами химической реакции кремния, образование летучего тетрахлорида кремния газа, через реактор Тетрахлорид кремния удаляется и подается свежий газ хлора, таким образом, кремниевая пластина подвергается эрозии, и желаемый рисунок может быть получен без необходимости использования фотополимера.