Al0.78Sc0.22N膜における強誘電体の膜厚調整について
Al0.78Sc0.22N薄膜における強誘電体の膜厚調整 はじめに 技術の進歩に伴い、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)や強誘電体ランダムアクセスメモリ(FRAM)などの低消費電力不揮発性メモリが、モノのインターネット(IoT)機器に使用される低消費電力マイクロコントローラと統合されてきた。)フラッシュ・メモリに比べ、強誘電体Pb [...] 続きを読む
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