Регулировка толщины сегнетоэлектриков в пленках Al0.78Sc0.22N
Перестройка толщины ферроэлектриков в пленках Al0.78Sc0.22N Введение С активным развитием технологий энергонезависимые запоминающие устройства с низким энергопотреблением, включая магниторезистивные случайные ...
Регулировка толщины сегнетоэлектриков в пленках Al0.78Sc0.22N Читать далее »